特許
J-GLOBAL ID：200903067065004308

金属層の形成方法

発明者：
田部井 栄一

田部井 栄一 について

, 
福島 基夫

福島 基夫 について


出願人/特許権者：
信越化学工業株式会社

信越化学工業株式会社 について


代理人 (1件)： 小島 隆司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-292415
公開番号（公開出願番号）：特開2002-105656
出願日： 2000年09月26日
公開日（公表日）： 2002年04月10日
要約：
【要約】【解決手段】 還元性を有するケイ素系高分子薄膜を表面に形成させた基板を、標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理して、基板表面に当該金属コロイドを析出させ、無電解メッキすることにより金属層を形成する方法において、当該金属コロイドを表面に有する基板に紫外光照射を行うことを特徴とする金属層の形成方法。【効果】 本発明によれば、各種基板に密着性のよい金属層を形成することができる。
請求項（抜粋）：
還元性を有するケイ素系高分子薄膜を表面に形成させた基板を、標準酸化還元電位0.54V以上の金属からなる金属塩を含む溶液で処理して、基板表面に当該金属コロイドを析出させ、無電解メッキすることにより金属層を形成する方法において、当該金属コロイドを表面に有する基板に紫外光照射を行うことを特徴とする金属層の形成方法。
IPC (3件)：
C23C 18/28 ,  C23C 18/20 ,  H01L 21/288
FI (3件)：
C23C 18/28 A ,  C23C 18/20 A ,  H01L 21/288 M
Fターム (20件)：
4K022AA03 ,  4K022AA04 ,  4K022AA05 ,  4K022AA11 ,  4K022BA03 ,  4K022BA14 ,  4K022BA31 ,  4K022BA35 ,  4K022CA05 ,  4K022CA09 ,  4K022CA12 ,  4K022CA20 ,  4K022CA21 ,  4K022DA01 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104DD53 ,  4M104HH08 ,  4M104HH09
引用特許：
審査官引用 (8件)
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