窒化物半導体レーザ素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-067632
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260772
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【目的】窒化物半導体よりなるレーザ素子の閾値電流を小さくして、室温で連続発振可能な素子を実現する。【構成】基板上部に形成されたInGaNを含む活性層と、活性層上に形成されたリッジ形状のストライプを有するn型若しくはp型のクラッド層とを有することにより、リッジの下の活性層に光を集中させて、レーザ素子の閾値電流を低下させる。

請求項（抜粋）：