特許
J-GLOBAL ID:200903067154225660

非接触導電率測定システム

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 重信 和男 ,  加古 進 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  日高 一樹 ,  渡邉 知子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-343833
公開番号(公開出願番号):特開2004-177274
出願日: 2002年11月27日
公開日(公表日): 2004年06月24日
要約:
【課題】マイクロ波を用いた非接触による導電率測定システムの提供。【解決手段】導電率測定システムでは、ネットワークアナライザ(NA)110内で生成したマイクロ波を導波管130、センサ140を経て、シリコン・ウェーハ(試料)160の表面に照射し、反射されたマイクロ波をセンサ140で受信している。ネットワークアナライザ(NA)110で求めた、シリコン・ウェーハ160の反射波に対する振幅比A及び位相差θから、シリコン・ウェーハ160の導電率をパソコン120で計算することで測定する。コンピュータ(パソコン)120は、測定の計算を行うばかりではなく、本測定システム全体の制御(たとえば試料の位置決め等)も行っている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
非接触導電率測定システムであって、 マイクロ波を送受信するマイクロ波送受信手段と、 送信したマイクロ波と受信した反射波の振幅比を測定する測定手段と、 測定した振幅比から、低周波の導電率を求める導電率計算手段と を備えることを特徴とする非接触導電率測定システム。
IPC (3件):
G01R27/02 ,  G01N22/00 ,  H01L21/66
FI (5件):
G01R27/02 R ,  G01N22/00 S ,  G01N22/00 W ,  G01N22/00 X ,  H01L21/66 L
Fターム (12件):
2G028BB11 ,  2G028CG02 ,  2G028CG15 ,  2G028DH15 ,  2G028FK01 ,  2G028GL02 ,  2G028HN14 ,  2G028MS02 ,  4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106BA09 ,  4M106CA10
引用特許:
審査官引用 (9件)
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引用文献:
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