電子線縮小転写方法および電子線縮小転写装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：永井冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-120248
公開番号（公開出願番号）：特開平9-306810
出願日： 1996年05月15日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【課題】ウエハ上に形成されるパターンの誤差を低減することができる電子線縮小転写方法および電子線縮小転写装置の提供。【解決手段】チップ転写領域2aに設けられた互いに隣接する小領域21a,22aにパターンを転写する場合、小領域21aにパターンを転写した後、チップ転写領域2aとは異なる他のチップ転写領域2bの小領域21bにパターンを転写してから小領域22aにパターンが転写される。その結果、小領域21aへのパターン転写終了時から小領域22aへのパターン転写開始時までに時間間隔が生じ、小領域22aへのパターン転写時には小領域22a部分の試料温度が低下している。

請求項（抜粋）：

試料上に設けられた複数のチップ転写領域の各々を複数の小領域に分割し、チップのパターンを前記小領域毎に順に転写する電子線縮小転写方法において、任意のチップ転写領域に設けられた互いに隣接する第1および第2の小領域にパターンを転写する場合、第1の小領域にパターンを転写した後、前記第1および第2の小領域のいずれとも接していない小領域の少なくとも1つにパターンを転写してから、前記第2の小領域にパターンを転写することを特徴とする電子線縮小転写方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 504

FI (3件)：

H01L 21/30 541 S , G03F 7/20 504 , H01L 21/30 541 M

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子ビーム描画方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-059923 出願人：富士通株式会社
パターン露光方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-302084 出願人：日本電気株式会社
荷電粒子線転写方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-150400 出願人：株式会社ニコン

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