特許
J-GLOBAL ID：200903067275450840
ダイヤモンド表面音波デバイスとその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥山 尚男 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-513267
公開番号（公開出願番号）：特表平10-507599
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】高周波表面音波(SAW)デバイスは、圧電層の近隣に、高度に配向されたダイヤモンド層を含んでいる。一つの実施例において、横方向に間隔を取って配置された圧電層または圧電層部分は、ダイヤモンド層内で音波の伝搬を限定する。交互配置形電極は、導電性金属ラインによって実現されるか、ダイヤモンド層の高度にドープされた表面部分によって実現される。これらの双方によって実現されてもよい。圧電層の対向する端部を、表面音波伝搬軸に直交する方向からある角度だけ傾斜させることによって、望ましくない反射を減少させることができる。表面音波デバイスはフィルタ、増幅器、コンボルバ、および移相器として使用することができる。表面音波デバイスを製造する方法も開示される。
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド層と、 該ダイヤモンド層の上で横方向に間隔を取って配置された第1および第2の圧電層部分と、 該第1および第2の圧電層部分のそれぞれに対応して配置された第1および第2の交互配置形電極と、を具備した表面音波デバイス。
IPC (8件)：
H03H 9/25
, G01N 29/18
, H01L 41/09
, H03H 3/02
, H03H 3/08
, H03H 9/17
, H03H 9/42
, H03H 9/72
H03H 9/25 C
, G01N 29/18
, H03H 3/02 B
, H03H 3/08
, H03H 9/17 Z
, H03H 9/25 E
, H03H 9/42
, H03H 9/72
, H01L 41/08 C
