特許
J-GLOBAL ID：200903067344624871

AlGaInP系発光ダイオード

発明者：
竹内 良一

竹内 良一 について

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鍋倉 亙

鍋倉 亙 について

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宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-339070
公開番号（公開出願番号）：特開2001-156333
出願日： 1999年11月30日
公開日（公表日）： 2001年06月08日
要約：
【要約】【課題】窓層を有するAlGaInP系LEDで、動作電流の台座電極直下の領域への漏洩を抑制し、開放発光領域に優先的に且つ均一に動作電流を拡散させることにより、発光領域が拡張された高輝度のAlGaInPLEDを提供する。【解決手段】台座電極の直下の領域にpn接合を形成するIII-V族化合物半導体接合層を設置し、且つ、開放発光領域にオーミック性電極を分散させて敷設する。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体構成層、オーミック電極、および台座電極が各々発光透過用窓層と接した構造を有するAlGaInP系発光ダイオードにおいて、III-V族化合物半導体構成層と反対の伝導形のIII-V族化合物半導体層(以後、III-V族化合物半導体接合層とする)が素子平面における台座電極の射影領域に形成され、該射影領域以外にオーミック電極が分散されて配置されていることを特徴とするAlGaInP系発光ダイオード。
Fターム (13件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA93 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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