特許
J-GLOBAL ID:200903067449372070
炭素被膜及びその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-148558
公開番号(公開出願番号):特開2002-038268
出願日: 2001年05月18日
公開日(公表日): 2002年02月06日
要約:
【要約】【課題】 硬質炭素被膜の機械的特性及び化学的安定性を維持しながら、高い導電性を持たせることができる炭素被膜及びその製造方法を得る。【解決手段】 基体上に形成された炭素被膜であって、CO2 分子を含むことを特徴としており、赤外吸収スペクトルにおいて、CO2 分子に基づく2350cm-1付近の吸収ピークAと670cm-1付近の吸収ピークBとが認められることを特徴としている。
請求項(抜粋):
基体上に形成された炭素被膜であって、CO2分子を含むことを特徴とする炭素被膜。
IPC (2件):
C23C 16/26
, C01B 31/02 101
FI (2件):
C23C 16/26
, C01B 31/02 101 Z
Fターム (15件):
4G046CA02
, 4G046CB03
, 4G046CB08
, 4G046CC02
, 4G046CC06
, 4K030AA09
, 4K030AA10
, 4K030AA14
, 4K030BA27
, 4K030FA02
, 4K030FA12
, 4K030JA09
, 4K030JA12
, 4K030JA17
, 4K030KA20
引用特許:
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