化学機械研磨装置および化学機械研磨方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：泉克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-206939
公開番号（公開出願番号）：特開2003-019659
出願日： 2001年07月06日
公開日（公表日）： 2003年01月21日
要約：

【要約】【課題】研磨レートが研磨面内でほぼ均一となり、基板上の全体に亘って優れた平坦性を容易に得ることができる化学機械研磨装置を提供する。【解決手段】基板ホルダ20に複数のヒータ25と複数の温度センサ26とを設ける。基板ホルダ20で保持された基板2をヒータ25により加熱しながら、基板2に形成された研磨対象膜を研磨する。研磨面全体で所望の研磨レートが得られような温度補正量を温度補正量設定手段32により設定しておき、温度センサ26で検出されたヒータ25の加熱温度が設定された温度補正量に相当するようにヒータコントローラ31でヒータ25を制御する。

請求項（抜粋）：

上面に研磨パッドが取り付けられた研磨定盤と基板保持手段とを各々回転せしめながら、前記基板保持手段に保持された基板を前記研磨パッドに押し付けて、前記基板に形成された膜を研磨する化学機械研磨装置において、前記基板保持手段で保持された前記基板を加熱する加熱手段と、前記加熱手段の加熱温度を検出する温度検出手段と、前記膜の研磨面全体でほぼ均一な研磨レートが得られような温度補正量を設定する温度補正量設定手段と、前記温度検出手段の検出温度が前記温度補正量に相当するように前記加熱手段を制御する制御手段とを有し、前記膜の研磨期間中に、前記制御手段で前記加熱手段を制御しながら、前記加熱手段により前記基板を加熱することを特徴とする化学機械研磨装置。

IPC (4件)：

B24B 37/00 , B24B 37/04 , H01L 21/304 622 , H01L 21/304

FI (6件)：

B24B 37/00 J , B24B 37/04 J , B24B 37/04 K , H01L 21/304 622 J , H01L 21/304 622 R , H01L 21/304 622 S

Fターム (10件)：

3C058AA07 , 3C058AB04 , 3C058BA01 , 3C058BA08 , 3C058BB02 , 3C058BC01 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058DA12 , 3C058DA17

引用特許：

審査官引用 (5件)

化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-198499 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭60-201868
研磨方法及びそれを用いた研磨装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-139613 出願人：キヤノン株式会社

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