特許
J-GLOBAL ID:200903015402510296
化学的機械研磨装置及び化学的機械研磨方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
前田 弘 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-198499
公開番号(公開出願番号):特開平11-033897
出願日: 1997年07月24日
公開日(公表日): 1999年02月09日
要約:
【要約】【課題】 研磨速度の低下を招くことなく、被研磨膜を面内において均一に研磨できるようにする。【解決手段】 回転可能に設けられた研磨定盤101の上には研磨パッド102が貼着され、研磨パッド102の上には研磨剤供給管103から研磨剤104が滴下される。研磨パッド102の上方には半導体基板108を保持する基板保持板105が設けられている。半導体基板108の温度を検出する複数の温度センサ110が分散して設けられていると共に、基板保持板105の内部における温度センサ110の上側には複数のヒーター111が分散して設けられている。温度制御手段112は、各温度センサ110により検出された半導体基板108の温度分布に基づき各ヒーター111を制御して半導体基板108の面内温度を均一にする。
請求項(抜粋):
平面運動をする研磨定盤と、前記研磨定盤の上に設けられた研磨パッドと、前記研磨パッドの上に研磨剤を供給する研磨剤供給手段と、表面に被研磨膜が堆積された基板を保持して該基板の被研磨膜を前記研磨パッドに押し付ける基板保持手段と、前記基板保持手段に保持されている基板の温度又は前記基板保持手段に保持されている基板と前記研磨パッドとの間に存在する研磨剤の温度を検出する温度検出手段と、前記温度検出手段が検出した温度に基づいて、前記基板保持手段に保持されている基板の面内温度が均一になるように該基板を加熱する基板加熱手段とを備えていることを特徴とする化学的機械研磨装置。
IPC (2件):
B24B 37/00
, H01L 21/304 321
FI (2件):
B24B 37/00 Z
, H01L 21/304 321 E
引用特許:
審査官引用 (15件)
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特開昭61-265262
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特開昭61-265262
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特開昭60-201868
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特開昭60-201868
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研磨装置およびこれを用いた研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-017207
出願人:ソニー株式会社
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化学的機械研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-052129
出願人:ソニー株式会社
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半導体基板の鏡面研磨方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-270007
出願人:住友シチックス株式会社
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シリコンウェハーの等温研磨処理の促進方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-351716
出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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化学機械研磨装置及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-184922
出願人:インテグレーテッドプロセスイクイップメントコーポレーション
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半導体製造装置及び方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-287207
出願人:株式会社東芝
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研磨装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-261043
出願人:株式会社ディスコ
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特開昭61-265262
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特開昭60-201868
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特開昭61-265262
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特開昭60-201868
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