特許

J-GLOBAL ID：200903067662473394

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 佐野 雅彦 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044176
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242581
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【目的】 連続発振して、長寿命を保持できる新規な窒化物半導体の構造を提供する。【構成】 基板(1)上部に、n型窒化物半導体層(2)と、活性層(3)と、p型窒化物半導体層(4)とを順に有し、そのp型窒化物半導体層の一部にリッジストライプ(4’)が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記p型窒化物半導体層の一部に形成されたリッジストライプ幅の中央線(a)が、基板に向かう鉛直方向で、活性層幅の中央線(b)とずれていることにより、リッジストライプ部の結晶が壊れにくくなるので、素子寿命が向上する。

請求項（抜粋）：

基板(1)上部に、n型窒化物半導体層(2)と、活性層(3)と、p型窒化物半導体層(4)とを順に有し、そのp型窒化物半導体層の一部にリッジストライプ(4’)が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子であって、前記p型窒化物半導体層の一部に形成されたリッジストライプ幅の中央線(a)が、基板に向かう鉛直方向で、活性層幅の中央線(b)とずれていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 化合物半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-221816   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-007048   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体発光素子の製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-057684   出願人：ローム株式会社
• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-118465   出願人：三洋電機株式会社
• 窒化物半導体の電極
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-082428   出願人：日亜化学工業株式会社