特許
J-GLOBAL ID：200903056944254367

半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者：
金子 明生

金子 明生 について

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関根 克行

関根 克行 について

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江口 和弘

江口 和弘 について

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犬宮 誠治

犬宮 誠治 について

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佐藤 基之

佐藤 基之 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-305779
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079223
出願日： 2003年08月29日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：
【課題】 高誘電率ゲート絶縁膜及びドーパントを含むSiもしくはSiを含有する材料のゲート電極を具備し、ゲート絶縁膜とゲート電極の界面に生じる固定電荷を防止する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板101に形成されたゲート構造は、高誘電率絶縁膜104及びその上にシリコン酸化膜もしくはシリコン酸窒化膜からなる反応防止層105から構成される。高誘電率絶縁膜は、HfSiO,HfSiON,HfZrSiO,HfZrSiON,ZrSiO及びZrSiONの中から選択された材料からなる。ゲート絶縁膜とシリコンゲート電極106を直接接するように成膜した場合に発生する固定電荷を抑制することが可能になる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、 前記半導体基板に形成された機能素子とを具備し、 前記機能素子は、前記半導体基板上に形成された高誘電率膜及びこの高誘電率膜上に形成された反応防止層からなるゲート絶縁膜と、前記反応防止層上に形成されたゲート電極とから構成されたゲート構造を有し、前記高誘電率膜は、Hf,Zrの少なくとも1つ以上を含み、SiO2 又はSiONを主成分とする材料から構成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (15件)：
H01L29/78 ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/08 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786
FI (14件)：
H01L29/78 301G ,  C23C16/42 ,  H01L21/28 301D ,  H01L21/316 X ,  H01L27/08 331E ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617M ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 613A ,  H01L27/04 C ,  H01L27/08 102C ,  H01L27/08 321D ,  H01L29/58 G
Fターム (158件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA46 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029FA07 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA10 ,  4K030BA22 ,  4K030BA35 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030HA03 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104BB01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB14 ,  4M104BB28 ,  4M104CC05 ,  4M104DD04 ,  4M104DD26 ,  4M104DD43 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF13 ,  4M104FF14 ,  4M104FF22 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG19 ,  5F038AC03 ,  5F038AC05 ,  5F038AC09 ,  5F038AC16 ,  5F038AC17 ,  5F038AC18 ,  5F038AV06 ,  5F038EZ06 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ16 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC04 ,  5F048BA01 ,  5F048BA16 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BF06 ,  5F048BF07 ,  5F048DA25 ,  5F058BA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BC09 ,  5F058BD05 ,  5F058BD12 ,  5F058BF04 ,  5F058BF12 ,  5F058BF17 ,  5F058BF46 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA14 ,  5F110AA26 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110EE05 ,  5F110EE08 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE32 ,  5F110EE41 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF22 ,  5F110FF23 ,  5F110FF24 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG32 ,  5F110GG44 ,  5F110GG52 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK05 ,  5F110HK40 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL12 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN33 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110QQ08 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ19 ,  5F140AA00 ,  5F140AA06 ,  5F140AB03 ,  5F140AC23 ,  5F140AC36 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD13 ,  5F140BD17 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BF04 ,  5F140BF11 ,  5F140BF18 ,  5F140BG08 ,  5F140BG12 ,  5F140BG27 ,  5F140BG34 ,  5F140BG38 ,  5F140BG51 ,  5F140BG52 ,  5F140BG53 ,  5F140BJ01 ,  5F140BJ08 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140BK34 ,  5F140CA02 ,  5F140CA03 ,  5F140CB04 ,  5F140CB08 ,  5F140CC03 ,  5F140CC15 ,  5F140CE07 ,  5F140CE08 ,  5F140CF04
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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