特許
J-GLOBAL ID：200903067705562752

半導体装置の製造方法

発明者：
大野 将由

大野 将由 について

, 
船戸 紀秀

船戸 紀秀 について


出願人/特許権者：
加賀東芝エレクトロニクス株式会社

加賀東芝エレクトロニクス株式会社 について

, 
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120310
公開番号（公開出願番号）：特開2002-313851
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：
【要約】【課題】電気的動作性能が高く、安定して作動するとともに、信頼性が高い半導体装置を効率よく製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】リードフレームのドレイン側端子3dのドレイン側ポスト部7dの上に、半導体素子5をそのソース電極4sが上向きとなる姿勢で固着して電気的に接合する。素子5のゲート電極とフレームのゲート側端子のゲート側ポスト部とをB’gワイヤ(ボンディングワイヤ)で電気的に接続する。略板形状に形成されており、かつ、ソース電極4sに接続される部分6aとソース側ポスト部7sに接続される部分6bとの間の中間部6cが、素子5から離間する形状、具体的には略アーチ形状に形成されている1個のアルミニウム製の接続ストラップ6を、その両端部6aおよび6bが、電極4sおよびポスト部7sに直接接触するように、超音波接合により同時に電気的に接合する。
請求項（抜粋）：
半導体素子が有する複数個の電極のうちの少なくとも1個の該電極、および複数個のリードフレームのうちの少なくとも1個の該リードフレームのそれぞれに、略板形状に形成された電流経路部材を直接接触させるように設けることにより、前記電極および前記リードフレームを電気的に接続することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 321 ,  H01L 23/48
FI (2件)：
H01L 21/60 321 E ,  H01L 23/48 G
Fターム (5件)：
5F044AA01 ,  5F044AA18 ,  5F044AA19 ,  5F044FF00 ,  5F044FF09
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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