特許

J-GLOBAL ID：200903067779066226

基板処理方法およびその装置

発明者： 藤川 和憲
出願人/特許権者： 大日本スクリーン製造株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-243599
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059879
出願日： 2001年08月10日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 オゾンによる基板表面処理の反応速度を向上させることができる基板処理方法およびその装置を提供する。【解決手段】 本発明の基板処理装置は、基板Wの表面上に処理液を接触させて液膜を形成する基板液膜形成手段(処理槽1の下半分および液供給系2)と、表面上に液膜が形成された基板Wに、処理液よりも高い所定温度のオゾンガスを作用させてこの基板Wを表面処理する基板表面処理手段(処理槽1の上半分およびオゾンガス供給系4)とを備えているので、基板W上のレジストなどの有機物との反応を支配する境膜を薄くする制御が可能となり、基板W表面の境膜へのオゾンの溶解を促進させることができ、溶存オゾン濃度を高めることができ、オゾンによる基板表面処理の反応速度を上げることができる。

請求項（抜粋）：

基板を表面処理する基板処理方法において、基板の表面上に処理液を接触させて液膜を形成する第1工程と、前記第1工程により表面上に液膜が形成された基板に、処理液よりも高い所定温度の気体としてのオゾンを作用させてこの基板を表面処理する第2工程とを備えていることを特徴とする基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 643 ,  B08B 3/04 ,  B08B 5/00 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/304 641 ,  H01L 21/304 643 A ,  B08B 3/04 A ,  B08B 5/00 Z ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D

Fターム (24件)：

3B116AA01 ,  3B116AB33 ,  3B116AB47 ,  3B116BB21 ,  3B116BB82 ,  3B116BB90 ,  3B201AA01 ,  3B201AB33 ,  3B201AB47 ,  3B201BB02 ,  3B201BB82 ,  3B201BB89 ,  3B201BB90 ,  3B201BB92 ,  3B201BB93 ,  3B201BB98 ,  5F043BB27 ,  5F043CC16 ,  5F043DD15 ,  5F043EE01 ,  5F043EE04 ,  5F046MA05 ,  5F046MA06 ,  5F046MA10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体ウエハのオゾン水洗浄システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-226058   出願人：沖電気工業株式会社
• 半導体ウエハを洗浄する装置と方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-098085   出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
• 半導体基板のエツチング方法およびその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259034   出願人：日本電気株式会社
• 基板処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-354785   出願人：東京エレクトロン株式会社