半導体冷却装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：三好秀和 , 岩▲崎▼ 幸邦 , 川又澄雄 , 中村友之 , 伊藤正和 , 高橋俊一 , 高松俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-308429
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121847
出願日： 2004年10月22日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】互いに独立した二つの電力変換回路を構成する第1及び第2の半導体素子群が取り付けられる第1及び第2の素子取付面を有する受熱ブロックと、この受熱ブロックに接続された放熱部とを備えた半導体冷却装置において、一方の電力変換回路を構成する半導体素子が物理的に破損した場合に、破損した半導体素子の残骸が他方の電力変換回路を構成する半導体素子に接触して他方の電力変換回路に悪影響を及ぼすことがある。【解決手段】板状に形成された一つの受熱ブロック12の一方の面に、第1の半導体素子群G1の半導体素子1が取り付けられる第1の素子面12aと、第2の半導体素子群G2の半導体素子1が取り付けられる第2の素子取付面12bとを設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

互いに独立した二つの電力変換回路を構成する第1及び第2の半導体素子群が取り付けられる第1及び第2の素子取付面を有する一つの受熱ブロックと、前記受熱ブロックに接続された放熱部とを備えた半導体冷却装置であって、前記第1及び第2の素子取付面が同一面内に設けられたことを特徴とする半導体冷却装置。

IPC (3件)：

H02M 1/00 , H01L 23/40 , H02M 7/48

FI (3件)：

H02M1/00 R , H01L23/40 C , H02M7/48 Z

Fターム (23件)：

5F036AA01 , 5F036BA23 , 5F036BB05 , 5F036BB60 , 5F036BC17 , 5H007AA06 , 5H007BB06 , 5H007CA01 , 5H007CB04 , 5H007CB05 , 5H007CC05 , 5H007CC23 , 5H007HA03 , 5H007HA04 , 5H007HA05 , 5H740BA11 , 5H740BB05 , 5H740BB09 , 5H740BB10 , 5H740MM08 , 5H740PP01 , 5H740PP02 , 5H740PP06

引用特許：

審査官引用 (8件)

電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-329748 出願人：東芝トランスポートエンジニアリング株式会社, 株式会社東芝
エレベータの制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-347388 出願人：株式会社東芝
特開平4-256397

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