特許
J-GLOBAL ID：200903067972385924

半導体装置及びその製造方法

発明者：
伊藤 昌樹

伊藤 昌樹 について

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片山 雅也

片山 雅也 について

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古山 孝昭

古山 孝昭 について

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河端 正蔵

河端 正蔵 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-369463
公開番号（公開出願番号）：特開2004-200553
出願日： 2002年12月20日
公開日（公表日）： 2004年07月15日
要約：
【課題】フローティングゲート電極とコントロールゲートとを有する半導体装置において、低消費電流化を実現し得るとともに、低コスト化を実現し得る半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10内に形成された第1導電型の第1のウェル14と、第1のウェル内に形成された第2導電型の第2のウェル16と、第2のウェル内に形成された第1導電型の不純物領域より成るコントロールゲート18と;第1のウェルの外側に、チャネル領域25を挟むように形成された第1の不純物拡散層26及び第2の不純物拡散層33と;チャネル領域上及びコントロールゲート上に、ゲート絶縁膜24を介して形成されたフローティングゲート電極20とを有するトランジスタ40を有している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
半導体基板内に形成された第1導電型の第1のウェルと、 前記第1のウェル内に形成された第2導電型の第2のウェルと、 前記第2のウェル内に形成された第1導電型の不純物領域より成るコントロールゲートと;前記第1のウェルの外側に、チャネル領域を挟むように形成された第1の不純物拡散層及び第2の不純物拡散層と;前記チャネル領域上及び前記コントロールゲート上に、ゲート絶縁膜を介して形成されたフローティングゲート電極とを有するトランジスタと を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L21/8247 ,  H01L27/10 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792
FI (4件)：
H01L29/78 371 ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/10 481 ,  H01L27/10 434
Fターム (40件)：
5F083EP13 ,  5F083EP22 ,  5F083EP33 ,  5F083EP63 ,  5F083ER02 ,  5F083ER06 ,  5F083ER11 ,  5F083ER16 ,  5F083ER30 ,  5F083GA05 ,  5F083GA22 ,  5F083GA28 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083MA05 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA03 ,  5F083PR09 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083ZA06 ,  5F083ZA07 ,  5F083ZA12 ,  5F101BA02 ,  5F101BB06 ,  5F101BC02 ,  5F101BC11 ,  5F101BD07 ,  5F101BD22 ,  5F101BD36 ,  5F101BD37 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BH21
引用特許：
審査官引用 (8件)
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