特許
J-GLOBAL ID：200903067986018908

成膜方法及びスパッタリング装置

発明者：
和田 優一

和田 優一 について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-309539
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131740
出願日： 1999年10月29日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 スパッタリング法を用いての銅の成膜、特にホール等への埋込みを良好に行うための成膜方法及びスパッタリング装置を提供することにある。【解決手段】 本発明は、真空処理チャンバ12に配置された銅製のターゲット16からスパッタリングされた銅粒子を、この真空処理チャンバ12内の基板支持手段18により支持された半導体ウェハW上に堆積させ銅の膜を形成する成膜方法において、銅粒子の堆積中に水素ガスを水素ガス供給源32から真空処理チャンバ12に供給することを特徴としている。これにより、スパッタリングされた銅粒子を半導体ウェハW上で再結晶化する際に生じ得る銅の酸化が、導入した水素ガスにより還元され防止される。
請求項（抜粋）：
真空処理チャンバに配置された銅製のターゲットからスパッタリングされた銅粒子を、前記真空処理チャンバ内の基板支持手段により支持された基板上に堆積させ銅の膜を形成する成膜方法であって、銅粒子の堆積中に水素ガスを前記真空処理チャンバに供給するステップを含むことを特徴とする成膜方法。
IPC (3件)：
C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285
FI (3件)：
C23C 14/34 M ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S
Fターム (28件)：
4K029AA02 ,  4K029AA24 ,  4K029BA08 ,  4K029BA35 ,  4K029BA46 ,  4K029BB01 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BC03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA05 ,  4K029DA04 ,  4K029DC03 ,  4K029DC39 ,  4K029EA04 ,  4M104BB04 ,  4M104CC01 ,  4M104DD41 ,  4M104HH13 ,  5F103AA08 ,  5F103BB14 ,  5F103BB42 ,  5F103BB59 ,  5F103DD28 ,  5F103HH04 ,  5F103NN06 ,  5F103PP12 ,  5F103RR06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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