特許
J-GLOBAL ID：200903068047624176

二次元画像検出器およびその製造方法

発明者：
寺沼 修

寺沼 修 について

, 
和泉 良弘

和泉 良弘 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-218412
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058807
出願日： 1998年08月03日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 アクティブマトリクス基板上に300°C以下の低温でCdTeやCdZnTeなどの半導体材料を形成することで、応答性がよく、動画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方法を提供すること。【解決手段】 格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は、少なくとも一方の基板に形成された電極上に自己整合により配置された導電性材料によって接続されていることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して前記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、前記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、前記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えてなる二次元画像検出器において、前記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、前記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、前記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、前記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されるとともに、該両基板は、少なくとも一方の基板に形成された電極上に自己整合により配置された導電性材料によって接続されていることを特徴とする二次元画像検出器。
IPC (4件)：
H01L 27/146 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/09 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
H01L 27/14 F ,  H04N 5/335 P ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A
Fターム (27件)：
4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA05 ,  4M118CA06 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118GA10 ,  4M118HA20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA26 ,  5C024AA00 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA31 ,  5F088AA11 ,  5F088AB09 ,  5F088BA02 ,  5F088BA18 ,  5F088DA05 ,  5F088LA08
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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