特許
J-GLOBAL ID：200903068065445459

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

発明者：
平山 祐介

平山 祐介 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 田中 正男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-080147
公開番号（公開出願番号）：特開2009-238837
出願日： 2008年03月26日
公開日（公表日）： 2009年10月15日
要約：
【課題】被処理基板のエッチング処理に用いられるプラズマ処理装置において、被処理基板の所望の部分のみを選択的にエッチングして、残余の部分にエッチングの影響を及ぼすことのないプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】気密に構成された処理室内の被処理基板を載置する載置台2と対向して配置され、前記被処理基板に部分的にプラズマを作用させるための局所プラズマ発生器23と、該局所プラズマ発生器を移動させる移動手段とを含むプラズマ処理装置において、前記局所プラズマ発生器は、その内部から流出するプラズマ化ガスの反応を相殺するガスを噴出する相殺ガス噴出機構を備える。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
気密に構成された処理室内の被処理基板を載置する載置台と対向して配置され、前記被処理基板に部分的にプラズマを作用させるための局所プラズマ発生器と、該局所プラズマ発生器を移動させる移動手段とを含むプラズマ処理装置において、 前記局所プラズマ発生器は、その内部から流出するプラズマ化ガスの反応を相殺するガスを噴出する相殺ガス噴出機構を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/306 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L21/302 101E ,  H05H1/46 L ,  H05H1/46 M
Fターム (11件)：
5F004AA02 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB22 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA02 ,  5F004CA05
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (8件)
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