特許
J-GLOBAL ID：200903074802314255

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
奥村 智洋

奥村 智洋 について

, 
斎藤 光央

斎藤 光央 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-068047
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281519
出願日： 2003年03月13日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：
【課題】極めて微小な領域のみにプラズマ処理を行うことができるプラズマ処理方法及び装置を提供すること。【解決手段】外側ガス噴出口6、内側ガス噴出口8、電極14を有するプラズマ源を、薄板17に近接して配置させ、内側ガス噴出口からヘリウムを、外側ガス噴出口から6フッ化硫黄を供給しつつ、電極14にパルス電圧を供給することにより、シリコン製薄板17の微小な線状領域をエッチング処理することを特徴とするものである。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
内側ガス噴出口及び内側ガス噴出口よりも外側に配置された外側ガス噴出口を有するプラズマ源を被処理物に近接させて被処理物の一部を処理するプラズマ処理方法であって、内側ガス噴出口から不活性ガスを主体とするガスを被処理物に向けて噴出しつつ、外側ガス噴出口から反応性ガスまたは内側ガス噴出口から噴出させるガスよりも放電しにくいガスを噴出させ、プラズマ源に設けられた電極または被処理物に電圧を供給することによって、プラズマ源と被処理物間にプラズマを発生させるに際して、電圧を、ON時間が0.1から10μsであるパルス状としたこと を特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (4件)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24
FI (4件)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A ,  H01L21/31 C ,  H05H1/24
Fターム (41件)：
4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075BD14 ,  4G075CA47 ,  4G075CA63 ,  4G075EC21 ,  4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE20 ,  4K057DG15 ,  4K057DM06 ,  4K057DM20 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004BA06 ,  5F004BC03 ,  5F004BD04 ,  5F004CA03 ,  5F004CA05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DB01 ,  5F004EA38 ,  5F045AA08 ,  5F045AB32 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AE29 ,  5F045DP03 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH13 ,  5F045EH20
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (10件)
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