特許
J-GLOBAL ID：200903096328566225

プラズマ処理方法及び装置

発明者：
齋藤 光央

齋藤 光央 について

, 
奥村 智洋

奥村 智洋 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (2件)： 河宮 治 ,  和田 充夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-303356
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111949
出願日： 2003年08月27日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：
【課題】 所望の微細線状部分を精度良く加工するプラズマ処理方法及び装置を提供する。【解決手段】 板状電極と隣接する位置に板状絶縁物を配置させた状態で、板状電極の周囲に配置されかつ板状絶縁物で囲まれて形成されかつ板状電極との距離が異なる少なくとも2系統のガス排気口のうち、板状電極から近い距離にあるガス排気口より不活性ガスを含む放電用ガスを被処理物の近傍に供給し、他のガス排気口より被処理物の近傍に放電制御用ガスを供給しつつ、板状電極又は被処理物に電力を供給して被処理物のプラズマ処理を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
大気圧近傍の圧力において、被処理物に対向配置可能な板状電極と隣接する位置に板状絶縁物を配置させた状態で、上記板状電極の周囲に配置されかつ上記板状絶縁物で囲まれて形成されかつ上記板状電極との距離が異なる少なくとも2系統のガス排気口のうち、上記板状電極から近い距離にある上記ガス排気口より不活性ガスを含む放電用ガスを上記被処理物の近傍に供給するとともに、他の上記ガス排気口より上記被処理物の近傍に放電制御用ガスを供給しつつ、上記板状電極又は上記被処理物に電力を供給して上記被処理物のプラズマ処理を行うプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L21/3065 ,  C23F4/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/31 ,  H05H1/24
FI (5件)：
H01L21/302 101E ,  C23F4/00 A ,  H01L21/304 645C ,  H01L21/31 C ,  H05H1/24
Fターム (43件)：
4K057DA11 ,  4K057DD01 ,  4K057DE01 ,  4K057DE06 ,  4K057DE08 ,  4K057DE09 ,  4K057DE11 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DE20 ,  4K057DG06 ,  4K057DM02 ,  4K057DM06 ,  4K057DM37 ,  4K057DN01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004BC06 ,  5F004BD03 ,  5F004BD04 ,  5F004BD05 ,  5F004DA00 ,  5F004DA01 ,  5F004DA04 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB01 ,  5F045AA08 ,  5F045AE29 ,  5F045AE30 ,  5F045DP21 ,  5F045EH05 ,  5F045EH08 ,  5F045EH12 ,  5F045EH19
引用特許：
出願人引用 (15件)
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審査官引用 (15件)
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