特許
J-GLOBAL ID：200903068106119618

不揮発性半導体記憶装置

発明者：
高田 栄和

高田 栄和 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-092522
公開番号（公開出願番号）：特開2001-283594
出願日： 2000年03月29日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
要約：
【要約】【課題】メモリセルアレイブロックを間違ってまたは不正にする情報の書換えや消去を防止する。【解決手段】任意のメモリセルアレイブロックMAからの読み出し動作と、他のメモリセルアレイブロックMAの書き込みまたは消去動作とを1チップ上において同時に実行できる不揮発性半導体記憶装置1において、ライトステートマシン(WSM)7によってブロックロック設定部Lにブロックロック(ロックビット)を設定することで、1回データを書き込んだ後の不正書き換えに対するセキュリティ機能を有すると共に書き換えを必要としない情報を格納するメモリアレイブロックMAを設けることができる。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルアレイブロックのうちの任意のメモリセルアレイブロックに対する情報の書き込み動作または消去動作と、前記任意のメモリセルアレイブロックとは別の任意のメモリセルアレイブロックに対する読み出し動作とを同時に実行可能とする不揮発性半導体記憶装置において、前記複数のメモリセルアレイブロック毎に、情報の書き込みおよび消去動作を禁止するブロックロック設定手段が設けられ、少なくとも一つのブロックロック設定手段にブロックロックが設定されている不揮発性半導体記憶装置。
IPC (6件)：
G11C 16/02 ,  G06F 12/14 310 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (4件)：
G06F 12/14 310 F ,  G11C 17/00 601 P ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371
Fターム (25件)：
5B017AA02 ,  5B017BA04 ,  5B017BB03 ,  5B017BB05 ,  5B017CA11 ,  5B017CA16 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD01 ,  5B025AD14 ,  5B025AE00 ,  5B025AE08 ,  5F001AA01 ,  5F001AB08 ,  5F001AC06 ,  5F083EP02 ,  5F083EP22 ,  5F083ER02 ,  5F083ER16 ,  5F083ER23 ,  5F083ER30 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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