半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴木章夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-214235
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044404
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】高濃度の拡散層と低濃度の拡散層が混在される固体撮像装置等の半導体装置において、低濃度の拡散層を任意の濃度に形成する一方で、高濃度の拡散層を含む素子の高速動作を可能とする。【解決手段】半導体基板101に高濃度拡散層106と低濃度拡散層105を形成し、低濃度拡散層105をイオン注入するイオンの飛程よりも大きな膜厚を有する酸化膜107で被覆した状態で装置全面にアモルファス化のためのイオン注入を行い、高濃度拡散層106の表面をアモルファス化する。次いで、高融点金属111を被着し、熱処理して高濃度拡散層106の表面に厚い高融点金属シリサイド層112を形成する。アモルファス化に際してのイオン注入を低濃度拡散層105に行う必要がなく、低濃度拡散層105の濃度を任意に設定することが可能になる。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板の表面に形成された第2導電型の高濃度の第1の拡散層、及び低濃度の第2の拡散層と、前記第1の拡散層の表面に形成された高融点金属シリサイド層とを備えることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/146 , H01L 21/265 , H01L 21/28 301 , H01L 31/10

FI (5件)：

H01L 27/14 A , H01L 21/28 301 T , H01L 21/265 H , H01L 21/265 Q , H01L 31/10 E

Fターム (29件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB25 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD26 , 4M104DD37 , 4M104DD84 , 4M104GG05 , 4M104HH20 , 4M118AA05 , 4M118AA10 , 4M118BA14 , 4M118CA03 , 4M118CA04 , 4M118DA18 , 4M118EA01 , 4M118EA07 , 4M118EA14 , 4M118FA06 , 5F049MA02 , 5F049MB03 , 5F049MB12 , 5F049NA03 , 5F049NB05 , 5F049PA09 , 5F049PA10 , 5F049PA20 , 5F049RA06

引用特許：

審査官引用 (5件)

拡散層抵抗の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-234813 出願人：ソニー株式会社
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-342720 出願人：ソニー株式会社
半導体素子の形成方法およびその方法により形成されたMISFET
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-176993 出願人：株式会社日立製作所, 日立北海セミコンダクタ株式会社

全件表示

前のページに戻る