特許
J-GLOBAL ID：200903014251140452
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342720
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172920
出願日： 1996年12月06日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 拡散層上に形成する化合物膜の細線効果を抑制し且つ耐熱性を向上させて、高速、低消費電力及び微細な半導体装置を高い歩留りで製造する。【解決手段】 Ti膜18の形成前のイオン注入でSi基板11の表面部を非晶質化してTiSi2 膜19の細線効果を抑制する。また、Ti膜18の形成後のイオン注入でSi基板11とTi膜18との界面においてこれらを混合させてTiSi2 膜19の耐熱性を向上させる。更に、Si基板11を構成しているSiの径以上の径を有する原子をイオン注入で用い、非晶質化及び混合に必要なドーズ量を少なくして、結晶欠陥を少なくする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に金属膜を形成し、前記半導体基板と前記金属膜とを反応させて前記半導体基板の拡散層上に化合物膜を形成する半導体装置の製造方法において、前記金属膜の形成前に、前記半導体基板を構成している原子の径以上の径を有する原子を前記半導体基板にイオン注入して、この半導体基板の表面部を非晶質化する工程と、前記金属膜の形成後に、前記半導体基板を構成している原子の径以上の径を有する原子を前記半導体基板にイオン注入して、この半導体基板と前記金属膜との界面においてこれらを混合させる工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/8238
, H01L 27/092
H01L 21/28 301 S
, H01L 27/08 321 F
