ケミカルメカニカルポリシング処理およびこれを用いた金属のインタ-コネクトを形成する方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：曾我道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009380
公開番号（公開出願番号）：特開2000-216157
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：

【要約】【課題】過研磨等で絶縁層に付いた傷内に導電層が形成されると、これが導電線間の短絡の原因となっていた。【解決手段】 CMP法では、第1金属線層及び絶縁層を半導体基板上に形成し、絶縁層を研磨して表面を平坦化し、この上にキャップ層を形成する。金属のインターコネクトを形成する方法では、半導体基板及び第1金属線の上に第1絶縁層を形成し、この上に第2絶縁層を形成し、この表面を研磨し、この上にキャップ層を形成し、第1絶縁層、第2絶縁層及びキャップ層を貫通して第1金属線を露出させる開孔を形成し、キャップ層の上に第2金属層を形成し、開孔を通じて第2金属線を第1金属線と電気的に接続する。

請求項（抜粋）：

第1金属線層及び絶縁層を半導体基板上に形成する工程と、前記絶縁層を研磨して平坦な表面を形成する工程と、薄膜キャップ層を前記絶縁層の上に形成する工程とを備えるケミカルメカニカルポリシング処理。

IPC (2件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/306

FI (2件)：

H01L 21/88 K , H01L 21/306 M

Fターム (30件)：

5F033HH19 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033PP06 , 5F033PP19 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR14 , 5F033RR20 , 5F033SS02 , 5F033SS04 , 5F033SS11 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033WW02 , 5F033XX01 , 5F033XX31 , 5F043AA33 , 5F043AA35 , 5F043BB22 , 5F043BB23 , 5F043DD16 , 5F043FF01 , 5F043FF07 , 5F043FF10 , 5F043GG02 , 5F043GG03 , 5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-157855 出願人：日本電気株式会社
半導体集積回路装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-284859 出願人：株式会社日立製作所
3層の誘電体層を有する半導体デバイス構造およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-096534 出願人：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション

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