特許
J-GLOBAL ID：200903068265195287

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松村 勝紀

松村 勝紀 について

, 
小崎 久城

小崎 久城 について

, 
小林 英行

小林 英行 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-335185
公開番号（公開出願番号）：特開平11-168140
出願日： 1997年12月05日
公開日（公表日）： 1999年06月22日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、金属配線上にContact holeを加工するプロセスにおいて、レジストを除去するAshing処理の際に、そのAshing処理で用いられるガスO2によってContact 抵抗を高くする酸化膜が第1の金属配線表面上に形成される。本発明は、当該酸化膜の除去に関する発明である。【解決手段】 Ashing処理を2つのステップにより実施する半導体装置の製造方法及び上記製法により形成されたコンタクトホール内に下層の金属配線材料と同一材料を埋め込むことにより形成されたコンタクト層を有していることを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
第1 の金属配線層と、前記第1 の金属配線層上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に形成された第2の金属配線層と、前記第1 の金属配線層と第2の金属配線層とを接続するためのコンタクトホールと、前記コンタクトホールの下部の前記第1 の金属配線層の表面に形成され、前記コンタクトホールの底部の径の寸法より大きい窪み領域と、前記コンタクトホールの側壁及び前記窪み領域の一部に形成されたバリヤメタルと、前記バリヤメタルを有するコンタクトホール内及び窪み領域内に埋め込まれたコンタクト層とを有し、前記コンタクト層は、前記第1 の金属配線と同一材料からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 21/768 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H05K 3/46 ,  H05K 3/26
FI (5件)：
H01L 21/90 C ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/26 B ,  H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H
引用特許：
審査官引用 (4件)
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