特許
J-GLOBAL ID：200903068307978708

半導体ウェーハの製造方法

発明者：
黒田 幸夫

黒田 幸夫 について

, 
田中 恵一

田中 恵一 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-221446
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044153
出願日： 1999年08月04日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：
【要約】【課題】 研磨不良ウェーハの再生率を高めた半導体ウェーハの製造方法を提供する。再生処理を原因とした再生ウェーハの強度低下を防止する。【解決手段】 エッチング後の半導体ウェーハの表面を研磨し、その研磨面の平坦度検査を行う。基準値を満たさず平坦度不良と判定されたウェーハには、プラズマエッチングが施されて再生される。研磨ウェーハのGBIRは1μm前後であるが、再生エッチング後のウェーハ平坦度は、GBIRで0.3μm以下となる。不良ウェーハの再生率を高めることができる。再生エッチング時のエッチング量をGBIRと略同じにすれば、再生ウェーハの厚さは平坦度良のウェーハとほとんどかわらない。再生処理を原因とした再生ウェーハの強度低下を防ぐことができる。
請求項（抜粋）：
半導体ウェーハをエッチングするエッチング工程と、エッチング後、この半導体ウェーハの表面を研磨する研磨工程と、半導体ウェーハの研磨面の平坦度を検査する検査工程と、検査工程で、平坦度不良と判定された半導体ウェーハの研磨面にプラズマエッチングを施す再生エッチング工程とを備えた半導体ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/304 622 ,  H01L 21/3065
FI (2件)：
H01L 21/304 622 P ,  H01L 21/302 L
Fターム (11件)：
5F004AA11 ,  5F004AA16 ,  5F004BA20 ,  5F004BB13 ,  5F004BB24 ,  5F004BC08 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA13 ,  5F004DA18 ,  5F004EB08
引用特許：
審査官引用 (4件)
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