半導体ウェーハ製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋昌久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-094878
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260314
出願日： 1996年03月25日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】特に200〜300mm以上の大口径ウェーハに対しても工程を簡略化しつつ高平坦度化と高品質化を可能とする。【解決手段】薄板円盤状ウェーハをスライスするスライス工程Eと、スライスしたウェーハの面取りをする面取り工程Fと、面取りしたウェーハの平坦化を図る平坦化工程Gと、平坦化によるウェーハより加工変質層を除去するアルカリエッチング工程Hと、エッチング後のウェーハ両面を同時加工する両面研磨工程Kとを基本構成とし、必要に応じ平坦化工程Gとエッチング工程Hの代りにプラズマエッチング工程に置換する。

請求項（抜粋）：

薄板円盤状に切断し、必要に応じ面取りしたウェーハを平面研削手段により平坦化した後、該平坦化したウェーハを同時に両面研磨を行うことを特徴とした半導体ウェーハ製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/304 321 , H01L 21/304 , H01L 21/304 311 , B24B 1/00 , H01L 21/306

FI (6件)：

H01L 21/304 321 B , H01L 21/304 321 M , H01L 21/304 311 A , B24B 1/00 A , H01L 21/306 Q , H01L 21/306 M

引用特許：

審査官引用 (13件)

ウェーハ研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-113773 出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社, 三菱マテリアル株式会社
ワークの平面研削方法及び装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-227291 出願人：信越半導体株式会社
特開平4-275874

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