特許
J-GLOBAL ID：200903020887062133

共用グローバルワード線を有する磁気ランダムアクセスメモリ

発明者：
ヘーオン・リー

ヘーオン・リー について

, 
フレデリック・エイ・パーナー

フレデリック・エイ・パーナー について


出願人/特許権者：
ヒューレット・パッカード・カンパニー

ヒューレット・パッカード・カンパニー について


代理人 (1件)： 古谷 聡 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-040986
公開番号（公開出願番号）：特開2003-298028
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は、MRAMメモリセルにおいて、磁化の向きを決めるワード線に加えられる電位が制限されないようにすること、セルの抵抗を読み取るために用いられるワード線あるいはビット線を短くすること、製造に必要な工程数を最小限に抑えることなどである。【解決手段】本発明は、共用グローバルワード線MRAM構造を供給する装置と方法を含む。MRAM構造は、第1の方向に向けられるビット線導体を含む。センス線導体は、第2の方向に向けられる。メモリセルは、ビット線導体とセンス線導体との間に物理的に接続される。グローバルワード線は概ね、第2の方向に向けられ、メモリセルに磁気的に接続される。メモリセルは、MRAMデバイスである。
請求項（抜粋）：
共用グローバルワード線MRAM構造であって、第1の方向に向けられる第1のビット線導体(342)と、第2の方向に向けられる第1のセンス線導体(360)と、前記第1のビット線導体(342)と前記第1のセンス線導体(360)との間に物理的に接続される第1のメモリセル(322)と、概ね前記第2の方向に向けられ、前記第1のメモリセル(322)に磁気的に結合されるグローバルワード線(310)と、概ね前記第1の方向に向けられる第2のビット線導体(352)と、概ね前記第2の方向に向けられる第2のセンス線導体(362)と、前記第2のビット線導体(352)と前記第2のセンス線導体(362)との間に物理的に接続される第2のメモリセル(332)とを含み、前記グローバルワード線(310)はさらに、前記第2のメモリセル(332)に磁気的に結合される共用グローバルワード線MRAM構造。
IPC (3件)：
H01L 27/105 ,  G11C 11/15 120 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
G11C 11/15 120 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447
Fターム (3件)：
5F083FZ10 ,  5F083KA01 ,  5F083KA05
引用特許：
審査官引用 (7件)
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