特許
J-GLOBAL ID：200903068397565792

メンブレンマスク及びその製造方法

発明者：
蒲生 秀典

蒲生 秀典 について

, 
田村 章

田村 章 について


出願人/特許権者：
凸版印刷株式会社

凸版印刷株式会社 について


代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-263907
公開番号（公開出願番号）：特開2006-080360
出願日： 2004年09月10日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：
【課題】膜の強度が高く、メンブレンの応力制御が可能であるとともに、電子線透過特性に優れたメンブレンマスクおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】基体と、この基体により支持されたメンブレンと、このメンブレン上に形成され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記メンブレンは、3×1018cm-3以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするメンブレンマスク。前記メンブレンは、基板上に、炭化水素、水素、及び0.5%以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマCVD法により形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基体と、この基体により支持されたメンブレンと、このメンブレン上に形成され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記メンブレンは、3×1018cm-3以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするメンブレンマスク。
IPC (3件)：
H01L 21/027 ,  C23C 16/27 ,  G03F 1/16
FI (3件)：
H01L21/30 541S ,  C23C16/27 ,  G03F1/16 B
Fターム (27件)：
2H095BA08 ,  2H095BB25 ,  2H095BB37 ,  2H095BC27 ,  4K030AA09 ,  4K030AA17 ,  4K030AA18 ,  4K030BA28 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA16 ,  4K030LA11 ,  5F056AA22 ,  5F056AA27 ,  5F056AA29 ,  5F056FA05 ,  5F056FA07 ,  5F058BA20 ,  5F058BC14 ,  5F058BD18 ,  5F058BF08 ,  5F058BF26 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ04
引用特許：
審査官引用 (7件)
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