半導体装置製造用マスク及びその作製方法、並びに半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松隈秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-002705
公開番号（公開出願番号）：特開2003-037055
出願日： 2002年01月09日
公開日（公表日）： 2003年02月07日
要約：

【要約】【課題】半導体装置製造用マスクにおいて、そのメンブレン層を薄くしても強度を維持し、メンブレン層のたわみ、歪みを低減を可能にする。【解決手段】マスクを構成するメンブレン層12のマスクパターン13又はマスクパターン領域14の周辺部に、メンブレン支持層15が形成されて成る。

請求項（抜粋）：

マスクを構成するメンブレン層のマスクパターン又はマスクパターン領域の周辺部に、メンブレン支持層が形成されて成ることを特徴とする半導体装置製造用マスク。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 1/16 , H01L 21/266

FI (3件)：

G03F 1/16 B , H01L 21/30 541 S , H01L 21/265 M

Fターム (4件)：

2H095BA08 , 2H095BB14 , 5F056AA22 , 5F056FA05

引用特許：

審査官引用 (16件)

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