特許
J-GLOBAL ID：200903068432662542
半導体素子、半導体発光素子およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福島 祥人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-260212
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091696
出願日： 1998年09月14日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 エッチングの深さを精度良く制御することが可能でかつ再現性の高い半導体素子および半導体発光素子の製造方法を提供することである。【解決手段】 サファイア基板1上に透明なn-AlGaN第1クラッド層6、透明なMQW発光層7および透明なp-AlGaN第2クラッド層8を連続的に成長させ、さらにこの上に、基板温度600〜750°Cでp-InGaNからなる不透明な低温成長層9を成長させる。さらに、透明なp-AlGaN第3クラッド層10およびp-GaNコンタクト層11を順に成長させる。次に、p-コンタクト層11上のストライプ状領域にNiマスク16を形成し、p-コンタクト層11からp-低温成長層9までの一部領域をRIE法によりエッチングして除去すると、不透明なp-低温成長層9が除去された領域の半導体ウエハ表面が不透明から透明に変化する。
請求項（抜粋）：
ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む透明な第1の窒化物系半導体層上の所定領域に、不透明なエッチングマーカ層と、ガリウム、アルミニウムおよびインジウムの少なくとも1つを含む透明な第2の窒化物系半導体層とが順に形成されたことを特徴とする半導体素子。
Fターム (10件)：
5F073AA13
, 5F073AA45
, 5F073AA51
, 5F073AA74
, 5F073BA06
, 5F073CA07
, 5F073CB04
, 5F073CB05
, 5F073DA25
, 5F073EA18
