特許
J-GLOBAL ID：200903043522393750

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
幡 俊雄

幡 俊雄 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-040238
公開番号（公開出願番号）：特開平9-298343
出願日： 1997年02月25日
公開日（公表日）： 1997年11月18日
要約：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体を用いて効率のよい内部電流狭窄型及びリッジ導波路型の半導体レーザを提供する。【解決手段】 第2クラッド層の上にドライエッチストップ層としてAl<SB>u</SB>Ga<SB>v</SB>In<SB>1-u-v</SB>N(0≦u、0<v、u+v≦1)を用い、さらにその膜厚を非常に薄くしてECR-RIBE法でエッチングする。
請求項（抜粋）：
少なくとも活性層上の第二導電型クラッド層の上に該クラッド層と同一導電型のドライエッチストップ層が形成されたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S 3/18 ,  H01L 33/00 C
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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