特許
J-GLOBAL ID：200903068545849100

半導体デバイスの評価方法及び装置。

発明者：
高洲 信一

高洲 信一 について


出願人/特許権者：
日本電子株式会社

日本電子株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-145170
公開番号（公開出願番号）：特開2002-340990
出願日： 2001年05月15日
公開日（公表日）： 2002年11月27日
要約：
【要約】【課題】 試料の分析を裏面からレーザー照射することによって行う装置において、マーキングを可能とする。【解決手段】 試料10の裏面側に、OBIC現象が発生可能で、且つ、半導体デバイス試料10のベースを成すシリコン基板を透過可能な波長を有するレーザービームを発生するレーザー光源、レーザー走査機構及び対物レンズ等を備えた第1マイクロスコープ21を設ける。試料10の表面側に、マーキング用レーザー光源23、第1マイクロスコープ1からのレーザービームを透過させ、マーキング用レーザー光源23からのレーザービームを半導体デバイス10方向に反射させるハーフミラー24、CCDカメラ25及び対物レンズ等が備えられている第2マイクロスコープ22を設ける。
請求項（抜粋）：
半導体デバイス試料上を裏面から放射ビームで走査し、該走査により該半導体デバイス試料から得られた放射ビームに基づいて試料像を得ると同時に、前記走査により試料中に発生している欠陥箇所からの電気信号に基づいて電気信号像を得、前記試料像と電気信号像から半導体デバイス試料中に発生している欠陥個所を同定し、次に、半導体デバイス試料上の前記同定した欠陥箇所近傍に試料表面からレーザービームを照射してマーキングを行うようにした半導体デバイスの評価方法。
IPC (5件)：
G01R 31/302 ,  G01R 1/06 ,  G01R 31/26 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/66
FI (5件)：
G01R 1/06 F ,  G01R 31/26 Z ,  H01L 21/02 A ,  H01L 21/66 A ,  G01R 31/28 L
Fターム (18件)：
2G003AA10 ,  2G003AF08 ,  2G003AG06 ,  2G003AH10 ,  2G011AE03 ,  2G132AD00 ,  2G132AE16 ,  2G132AF13 ,  2G132AF14 ,  2G132AL31 ,  4M106BA02 ,  4M106BA05 ,  4M106BA14 ,  4M106DA05 ,  4M106DE05 ,  4M106DH12 ,  4M106DH50 ,  4M106DJ11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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