接続端子及びその製造方法並びに半導体装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：原謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-127573
公開番号（公開出願番号）：特開2003-324120
出願日： 2002年04月26日
公開日（公表日）： 2003年11月14日
要約：

【要約】【課題】無電解めっきにてファインピッチ品にバンプを形成する時にバンプ間ショートを防止すると共にバンプ密着強度を確保する。【解決手段】電極パッド2上には第1保護膜3及び第2保護膜4が形成され、これら互いに積層された第1保護膜3及び第2保護膜4が共に除去された部分にバンプ5が形成されている。ここで、上層に位置する第2保護膜4の除去部分である開口部4aよりも下層に位置する第1保護膜3の除去部分である開口部3aが大きく形成され、上層の第2保護膜4がオーバーハングした構造となっており、バンプ5の底部がその外周部において、第2保護膜4の下に入り込むように形成されている。

請求項（抜粋）：

表面に保護膜が形成された電極パッドと、該電極パッド上の保護膜の開口部に形成された突起電極とからなる接続端子において、上記保護膜が2層以上からなり、下層の保護膜の開口部が上層の保護膜の開口部よりも大きく形成され、上記突起電極の底部が上層の保護膜の下に入り込んでいることを特徴とする接続端子。

FI (5件)：

H01L 21/92 604 D , H01L 21/92 602 K , H01L 21/92 603 A , H01L 21/92 603 G , H01L 21/92 604 S

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-092432
バンプ電極形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-171590 出願人：トヨタ自動車株式会社
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-192216 出願人：シチズン時計株式会社

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