特許

J-GLOBAL ID：200903068605674150

成膜方法、多層配線構造、半導体装置、コンピュータ可読記録媒体

発明者： 井出 真司 ,  大島 康弘 ,  柏木 勇作
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-350765
公開番号（公開出願番号）：特開2007-158000
出願日： 2005年12月05日
公開日（公表日）： 2007年06月21日
要約：

【課題】SiOCH多孔質絶縁膜において、機械的強度を向上させる。【解決手段】SiOCH膜を複数のSiOCH膜部分の積層により形成し、各々のSiOCH膜部分は、プラズマCVD法による堆積工程と、水素プラズマ処理による改質工程により形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にSiOCH膜を形成する成膜方法であって、 前記SiOCH膜を、複数の工程を繰り返すことにより形成する成膜工程を含み、 前記複数の工程の各々は、有機シリコン化合物を原料に、プラズマCVD法によりSiOCH膜部分を堆積する工程と、前記堆積したSiOCH膜部分を水素プラズマ処理する工程と、を含むことを特徴とする成膜方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  C23C 16/42

FI (3件)：

H01L21/316 M ,  H01L21/90 N ,  C23C16/42

Fターム (52件)：

4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA14 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030DA02 ,  4K030DA08 ,  4K030FA03 ,  4K030JA01 ,  4K030JA10 ,  4K030KA41 ,  4K030LA02 ,  4K030LA15 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033KK32 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ54 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR29 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033TT04 ,  5F033WW02 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BF07 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BH16

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 基板処理方法
  公報種別：再公表公報   出願番号：JP2004016541   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 半導体装置およびその製造方法、絶縁膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-199737   出願人：東京エレクトロン株式会社

審査官引用 (3件)

• 絶縁膜の形成方法及び絶縁膜の形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-325379   出願人：東京エレクトロン株式会社
• 有機絶縁膜及びその製造方法及び有機絶縁膜を用いた半導体装置及びその製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-006285   出願人：NECエレクトロニクス株式会社, 日本電気株式会社
• 基材上にフィルムを形成する方法及び装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-506599   出願人：トリコンホールディングスリミティド