特許
J-GLOBAL ID：200903068607421403

基板処理装置

発明者：
水野 謙和

水野 謙和 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (1件)： 宮本 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-405043
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167027
出願日： 2003年12月03日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】励起された処理ガスを導入する処理ガス導入部を加熱された処理室内に備える基板処理装置であって、処理ガス導入部からパーティクルが発生するのを抑制または防止できる基板処理装置を提供する。【解決手段】反応管203と、NH3ガスを励起するプラズマ発生装置302と、反応管302内に設けられ、反応管302内にプラズマ励起されたNH3ガスを導入するNH3ガスノズル301と、反応管302の外部に設けられた加熱手段とを設け、加熱手段によって、反応管203内を加熱してウエハ200を処理する基板処理装置であって、NH3ガスノズル301にNF3ガスを導入し、少なくともNH3ガスノズル301に付着した膜の除去を行う。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を処理する処理室と、 該処理室内に励起状態の処理ガスを導入する処理ガス導入手段であって、前記処理ガスを励起する励起手段と、前記処理室内に設けられた処理ガス導入部であって前記励起手段により励起された前記処理ガスを前記処理室内部に導入する処理ガス導入部とを有する前記ガス導入手段と、 前記処理室内を加熱する加熱手段であって前記処理室の外側に配置された前記加熱手段とを設け、前記処理室内を加熱することによって前記基板を所定温度以上に加熱して前記基板を処理する基板処理装置であって、 前記ガス導入部にエッチングガスを導入し、少なくとも前記処理ガス導入部に付着した膜の除去を行う基板処理装置。
IPC (2件)：
H01L21/31 ,  H01L21/304
FI (2件)：
H01L21/31 C ,  H01L21/304 645Z
Fターム (13件)：
5F045AA08 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AE19 ,  5F045AF03 ,  5F045BB03 ,  5F045DP19 ,  5F045DP28 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06
引用特許：
審査官引用 (6件)
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