特許
J-GLOBAL ID：200903068625577070

半導体記憶装置

発明者：
黒田 直喜

黒田 直喜 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-097316
公開番号（公開出願番号）：特開2000-293985
出願日： 1999年04月05日
公開日（公表日）： 2000年10月20日
要約：
【要約】【課題】 データ出力を高速にしながら、広域の周波数帯で最適にステージ分割できる半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 メモリセルと、メモリセルからのデータを読み出す際にデータバスに転送されたデータを増幅するリードアンプと、リードアンプによって増幅された出力データを、出力端子に出力するための出力バッファを備えた半導体記憶装置において、リードアンプの起動を、外部クロック信号のデータ出力を規定するクロックエッジに応答して制御する。この構成により、データバスにデータを転送するコア回路の動作と、データバスのデータを増幅するリードアンプを含むデータ出力回路の動作を分離することができ、動作時間の分割を最適化することができる。
請求項（抜粋）：
外部クロック信号に同期して動作する半導体記憶装置であって、メモリセルと、前記メモリセルからのデータを読み出す際にデータバスに転送されたデータを増幅するリードアンプと、前記リードアンプによって増幅された出力データを出力端子に出力するための出力バッファとを備え、前記外部クロック信号のデータ出力を規定するクロックエッジに応答して前記リードアンプを活性化することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 11/409 ,  G11C 11/407
FI (2件)：
G11C 11/34 354 H ,  G11C 11/34 354 C
Fターム (6件)：
5B024AA04 ,  5B024AA15 ,  5B024BA09 ,  5B024BA21 ,  5B024BA29 ,  5B024CA11
引用特許：
審査官引用 (5件)
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