プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：亀谷美明 , 金本哲男 , 萩原康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-028849
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208208
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：

【課題】ガスの流速を抑えることにより,良好なプラズマ処理が可能なプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置100は,スロットに通したマイクロ波を透過させる複数枚の誘電体パーツ31と,各誘電体パーツ31より下方に位置するガスノズル27とを有している。誘電体パーツ31およびガスノズル27は,ポーラス(多孔質体)とバルク(緻密質体)とから形成されている。第1のガス供給部は,アルゴンガスを各誘電体パーツ31のポーラス31Pから処理室内に供給する。第2のガス供給部は,シランガスおよび水素ガスをガスノズル27のポーラス27Pから処理室内に供給する。ガスは各ポーラスを通る際に減速され,これにより,ガスの過剰な攪拌を抑止することができる。この結果,均一なプラズマを生成し,これにより良質なアモルファスシリコン膜を形成することができる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

プラズマを用いて被処理体を処理する処理室と,所定のガスを前記処理室に供給するガス供給部と,アンテナのスロットを介しかつ誘電体部材を透過してマイクロ波を前記処理室へ供給するマイクロ波供給部とを備え,前記透過したマイクロ波により前記ガスをプラズマ化して前記被処理体を処理するプラズマ処理装置であって,前記誘電体部材は少なくとも一部に多孔質体を含み,前記ガスは前記多孔質体を通して前記処理室内に導入されることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , H01L 21/306 , C23C 16/511 , H05H 1/46

FI (4件)：

H01L21/205 , H01L21/302 101D , C23C16/511 , H05H1/46 B

Fターム (37件)：

4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030CA06 , 4K030CA17 , 4K030EA04 , 4K030EA06 , 4K030FA01 , 4K030GA04 , 4K030KA24 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 5F004AA01 , 5F004BA16 , 5F004BA20 , 5F004BB14 , 5F004BB28 , 5F004BB29 , 5F004BD01 , 5F004BD03 , 5F004BD04 , 5F045AA09 , 5F045AB04 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AD07 , 5F045AE19 , 5F045AF07 , 5F045BB02 , 5F045EC05 , 5F045EE14 , 5F045EE20 , 5F045EF01 , 5F045EF11 , 5F045EH02 , 5F045EH03

引用特許：

出願人引用 (1件)

プラズマCVD装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-026468 出願人：ティーディーケイ株式会社

審査官引用 (5件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-197227 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-094275 出願人：大見忠弘, 東京エレクトロン株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-318675 出願人：株式会社日立製作所

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