プラズマ処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-318675
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150472
出願日： 1998年11月10日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】プラズマ処理装置において、基板上の下地膜に対して被エッチング膜の選択性を基板内に一様に向上させる要求があった。【解決手段】プラズマ処理装置に対して、基板4と対向する壁(第1板2)の表面に凹凸2bを形成し、バイアス電力を負荷するようにした。

請求項（抜粋）：

第1板とこれに対向して配置した第2板の間にプラズマを生成させ、第2板の上に設置した基板を処理する装置において、基板に対向する第1板の表面に凹凸形状を設けたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3065 , C23C 16/505 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/31 , H05H 1/46

FI (6件)：

H01L 21/302 C , C23C 16/50 B , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/31 C , H05H 1/46 M

Fターム (46件)：

4K030BA44 , 4K030DA08 , 4K030FA03 , 4K030KA15 , 4K030KA17 , 4K030KA30 , 4K030KA46 , 4K057DA13 , 4K057DA16 , 4K057DA20 , 4K057DD01 , 4K057DM05 , 4K057DM17 , 4K057DM18 , 4K057DM22 , 4K057DM28 , 4K057DM37 , 5F004AA01 , 5F004AA02 , 5F004BA04 , 5F004BA16 , 5F004BA20 , 5F004BB13 , 5F004BB29 , 5F004CA06 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA04 , 5F004DA11 , 5F004DA18 , 5F004DA23 , 5F004DB03 , 5F045AA08 , 5F045AA10 , 5F045DP03 , 5F045EB02 , 5F045EC05 , 5F045EE20 , 5F045EF05 , 5F045EH02 , 5F045EH05 , 5F045EH11 , 5F045EH12 , 5F045EH13 , 5F045EH17 , 5F045EH19

引用特許：

審査官引用 (6件)

プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-300039 出願人：株式会社日立製作所
プラズマ処理装置に用いる電極及びプラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-078025 出願人：日新電機株式会社
プラズマ処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-144041 出願人：富士通株式会社

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