特許
J-GLOBAL ID:200903068645930842
近接場プローブおよび近接場プローブの製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (2件):
鈴江 武彦
, 鈴江 武彦
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-348124
公開番号(公開出願番号):特開2002-156322
出願日: 2000年11月15日
公開日(公表日): 2002年05月31日
要約:
【要約】【課題】近接場プローブを再現性良く短時間で製造する方法を提供する。【解決手段】 まず、AFMカンチレバーチップの特定の表面を遮光膜130で被覆する。遮光膜130は、例えば、カルコゲンまたはカルコゲン化合物で形成する。次に、プリズム142の特定の面に、遮光膜130の材料と異なる金属または合金の薄膜(拡散膜)144を形成する。そして、プリズム142にレーザー光146を照射して、薄膜144の表面近傍にエバネッセント場148を発生させる。さらに、突出部122を被覆する遮光膜130と、プリズム142に形成された薄膜144とを接触させる。接触部分では、固相・固相反応が起きて合金が形成され、形成された合金は薄膜144に付着する。その結果、プローブ母材の突出部122の先端を覆っている部分の遮光膜130が選択的に除去され、探針部106の先端に微小な光学的な開口が形成される。
請求項(抜粋):
近接場顕微鏡または近接場光記録装置に用いられる近接場プローブであり、光学的に透明なプローブ母材と、プローブ母材の特定の表面を被覆する遮光膜と、少なくとも一つの微小な光学的な開口を備えており、遮光膜は金属またはカルコゲンを含む膜であり、微小な光学的な開口は、エバネッセント場によって促進された遮光膜の拡散反応により遮光膜を選択的に除去することで形成されている近接場プロープ。
IPC (3件):
G01N 13/14
, G01B 11/30
, G12B 21/06
FI (3件):
G01N 13/14 B
, G01B 11/30 Z
, G12B 1/00 601 C
Fターム (3件):
2F065AA49
, 2F065FF00
, 2F065PP24
引用特許: