特許
J-GLOBAL ID：200903068685848910
間接バンドギャップ半導体構造を検査する方法およびシステム
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
中島 淳
, 加藤 和詳
, 西元 勝一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-534812
公開番号（公開出願番号）：特表2009-512198
出願日： 2006年10月11日
公開日（公表日）： 2009年03月19日
要約：
間接バンドギャップ半導体構造(140)を検査する方法(600)およびシステム(100)が説明される。光源(110)は間接バンドギャップ半導体構造(140)にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光(612)を発生させる。ショートパスフィルタユニット(114)は、発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減する。コリメータ(112)は光をコリメート(616)する。大面積の間接バンドギャップ半導体構造(140)はコリメートされショートパス濾波された光で、略均一かつ同時に照明(618)される。撮像デバイス(130)は大面積の間接バンドギャップ半導体構造に入射する略均一な同時照明によって誘起されるフォトルミネセンス像を同時に捕捉する(620)。フォトルミネセンス像は、大面積に誘起されたフォトルミネセンスの空間的変動を用いて、間接バンドギャップ半導体構造(140)の空間的に分解された特定の電子特性を定量化するために像処理(622)される。
請求項（抜粋）：
間接バンドギャップ半導体構造を検査する方法であって、前記方法が、
前記間接バンドギャップ半導体構造にフォトルミネセンスを誘起するのに適した光を発生させることと、
前記光をショートパス濾波して前記発生した光の特定の放射ピークを超える長波長光を低減することと、
前記光をコリメートすることと、
前記コリメートされショートパス濾波された光で大面積の前記間接バンドギャップ半導体構造を略均一かつ同時に照明することと、
前記誘起されたフォトルミネセンスを同時に捕捉することのできる撮像デバイスを用いて、前記大面積の前記間接バンドギャップ半導体構造に入射する前記略均一な同時照明によって同時に誘起されたフォトルミネセンス像を捕捉することと、
前記大面積に誘起された前記フォトルミネセンスの空間変動を用いて、前記間接バンドギャップ半導体構造の空間的に分解された特定の電気的特性を定量化する前記フォトルミネセンス像の像処理を行うこととを含む方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L21/66 L
, H01L31/04 K
4M106AA10
, 4M106BA05
, 4M106BA14
, 4M106CA18
, 4M106CB30
, 4M106DH12
, 5F051BA14
, 5F051KA09
