特許
J-GLOBAL ID：200903068687314955

水蒸気及び希釈ガスにより改善された水素アッシング

発明者：
チャン シュン ヤン

チャン シュン ヤン について

, 
チャンフン リー

チャンフン リー について


出願人/特許権者：
アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド

アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 安齋 嘉章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-107477
公開番号（公開出願番号）：特開2008-277812
出願日： 2008年04月17日
公開日（公表日）： 2008年11月13日
要約：
【課題】水素化シリコンオキシカーバイド材料に基づく低-k誘電体材料に特に有用な酸素フリーの水素プラズマアッシングプロセスを提供する。【解決手段】メインアッシング工程は、水素(50)及び任意の窒素(54)、大量の水蒸気(60)、更に大量のアルゴン(80)又はヘリウムのプラズマ(48)に、予めエッチングしておいた誘電体層を露出することを含む。ポーラス低-k誘電体については特に、メインアッシングプラズマは、更に、メタン等の炭化水素ガス(84)を含有する。メインアッシングは、水素及び任意の窒素等の水素含有還元ガスのプラズマにより、短い表面処理を施しておいてもよい。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
メインアッシングガスのプラズマを基板に適用するメインアッシング工程を含むアッシングプロセスであって、前記メインアッシングガスが、水素ガス及びアンモニアガスからなる群より選択される第1の量の還元ガスと、前記第1の量より多い第2の量の水蒸気と、アルゴン及びヘリウムからなる群より選択され、有効量の酸素ガスを含有しない、前記第2の量より多い第3の量の希釈ガスとを含むアッシングプロセス。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (4件)：
H01L21/302 104H ,  H01L21/90 J ,  H01L21/90 A ,  H01L21/90 C
Fターム (36件)：
5F004AA05 ,  5F004BA03 ,  5F004BC03 ,  5F004BD01 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA23 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB00 ,  5F004DB26 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033HH32 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ32 ,  5F033KK01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ15 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ92 ,  5F033RR01 ,  5F033RR29 ,  5F033XX24
引用特許：
審査官引用 (5件)
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