特許
J-GLOBAL ID：200903068709112936
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-188641
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015487
出願日： 1999年07月02日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 マスクの種類に依存することなく、所定のエッチング条件で所定形状のエッチングを行うことが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 フッ化酸化シリコンからなる絶縁膜1上に、窒化チタン系材料からなるストッパ層2を形成し、さらにフッ化酸化シリコンからなるパターン3aを形成する。パターン3aの膜厚hは、次のエッチングによって絶縁膜1上から除去される程度の厚さに設定する。パターン3aをマスクにして絶縁膜1をエッチングし、絶縁膜1の表面側に埋め込み配線用のトレンチ1aを形成すると共に、絶縁膜1上からパターン3aを除去する。
請求項（抜粋）：
被エッチング層上に、当該被エッチング層と主材料を同一にした材料からなるパターンを形成する工程と、前記パターンをマスクにして前記被エッチング層をエッチングする工程とを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Fターム (26件)：
5F004AA00
, 5F004BA14
, 5F004BA15
, 5F004BA20
, 5F004BB13
, 5F004BB18
, 5F004BB21
, 5F004CA06
, 5F004CB15
, 5F004DA04
, 5F004DA11
, 5F004DA15
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004DB03
, 5F004DB04
, 5F004DB05
, 5F004DB06
, 5F004DB09
, 5F004DB16
, 5F004EA03
, 5F004EA06
, 5F004EA22
, 5F004EA23
, 5F004EB03
, 5F004EB08
