特許
J-GLOBAL ID：200903068755065233

半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者：
大西 俊一

大西 俊一 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-210802
公開番号（公開出願番号）：特開2003-110200
出願日： 2002年07月19日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】【課題】 高温、高出力動作が可能で、且つ、信頼性の高い半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 図1に示すように、半導体レーザ装置10は、n型GaAsからなる基板100上に、n型AlGaInPからなるn型クラッド層101、AlGaInPからなるガイド層102a、複数のGaInP層と複数のAlGaInP層とで構成される量子井戸からなる活性層102、AlGaInPからなるガイド層102b、AlGaAsからなる拡散防止層103、p型AlGaInPからなるp型第1クラッド層104、n型AlGaInPからなる電流ブロック層105、p型AlGaInPからなるp型第2クラッド層106、およびp型GaAsからなるコンタクト層107が順に積層された構造を有している。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、上記半導体基板上に形成されたリンを含む化合物半導体からなる活性層と、上記活性層上に形成された化合物半導体からなるガイド層と、上記ガイド層上に形成されたヒ素を含む化合物半導体からなるドーパント拡散防止層と、上記ドーパント拡散防止層上に形成され、ドーパントを含む化合物半導体からなるクラッド層とを備える半導体レーザ装置。
Fターム (13件)：
5F073AA07 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073BA05 ,  5F073CA13 ,  5F073CB02 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA22 ,  5F073EA24 ,  5F073EA28 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (5件)
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