半導体ウエハーにおけるヒータ装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中村政美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213422
公開番号（公開出願番号）：特開2001-043961
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
要約：

【要約】【課題】半導体ウエハーの加熱を均一に行なうことができ、しかも最適処理温度に到達するまでの時間を従来のものに比して短縮することのできるヒータ装置とその製造方法を提供する。【解決手段】ポリイミド溶剤、芳香族ポリアミド溶剤、ポリベンゾイミダゾール溶剤、ポリアミック酸溶剤等の耐熱性高分子層3により所定のヒートパターンを有する金属箔4の上下両側からサンドイッチ状に挟持させて熱圧着させた発熱体5を基板2上に設ける。基板2面側の発熱体5の耐熱性高分子層3は、50μ〜100μの範囲の厚さに形成する。基板2上のポリイミド層の溶剤を加熱により飛ばし、その上に所定のヒータパターンを有する前記金属箔4をプラスチックフィルムから熱剥離して転写し、加熱圧着によりポリイミド層に金属箔4を溶着固定してから再度ポリイミド層をオーバーコートすることでヒート装置1を形成する。

請求項（抜粋）：

耐熱性高分子層により所定のヒータパターンを有する金属箔を上下両側からサンドイッチ状に挟持させて熱圧着させた発熱体を基板上に設けたことを特徴とする半導体ウエハーにおけるヒータ装置。

IPC (2件)：

H05B 3/20 316 , H01L 21/68

FI (2件)：

H05B 3/20 316 , H01L 21/68 N

Fターム (17件)：

3K034AA02 , 3K034AA15 , 3K034AA33 , 3K034BA08 , 3K034BA13 , 3K034BB02 , 3K034BB08 , 3K034BB14 , 3K034BC02 , 3K034BC16 , 3K034BC29 , 3K034HA01 , 3K034HA10 , 3K034JA01 , 3K034JA02 , 5F031CA02 , 5F031HA37

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平4-141979
特開昭61-227040
高温ポリイミド静電チャック
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-016164 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

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