特許
J-GLOBAL ID:200903068790656376

液晶表示装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大岩 増雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-347617
公開番号(公開出願番号):特開2000-171825
出願日: 1998年12月07日
公開日(公表日): 2000年06月23日
要約:
【要約】【課題】 画素部を構成するCs配線とソース配線との間の寄生容量を小さくし、クロストークに強い特性を得るとともに、開口率を上げてLCDの輝度を増大させる。【解決手段】 ソース配線上に、このソース配線を覆うようにCs配線を配置し、Cs配線上に、一部が重畳するように画素電極を配置形成する。ソース配線、Cs配線、画素電極が順次積層された構造とすることによって、ソース配線と画素電極との間に生じる寄生容量を小さく低減でき、クロストークを改善することができる。また、平面構造を見た場合に、ソース配線と画素電極との距離を小さくできるために、開口率を上げることが可能である。
請求項(抜粋):
絶縁基板上に一定間隔を隔てて配置された複数のゲート配線、上記ゲート配線に交差する複数のソース配線、上記ゲート配線と上記ソース配線との交差部に設けられた薄膜トランジスタを含み、上記薄膜トランジスタを構成するドレイン電極に接続された画素電極と、上記画素電極との間に絶縁膜を挟むことによって保持容量を形成する保持容量電極線を有するマトリックス型表示装置用の薄膜トランジスタアレイ基板において、上記保持容量電極線は、上記ソース配線の上部に、重畳するように配置形成されることを特徴とする液晶表示装置。
Fターム (35件):
2H092JA26 ,  2H092JA29 ,  2H092JA38 ,  2H092JA42 ,  2H092JA44 ,  2H092JB13 ,  2H092JB23 ,  2H092JB32 ,  2H092JB33 ,  2H092JB38 ,  2H092JB51 ,  2H092JB56 ,  2H092JB63 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA07 ,  2H092MA05 ,  2H092MA08 ,  2H092MA14 ,  2H092MA15 ,  2H092MA16 ,  2H092MA18 ,  2H092MA19 ,  2H092MA20 ,  2H092MA23 ,  2H092MA27 ,  2H092MA33 ,  2H092MA35 ,  2H092MA37 ,  2H092MA41 ,  2H092NA01 ,  2H092NA07 ,  2H092NA25 ,  2H092PA06 ,  2H092QA07
引用特許:
審査官引用 (19件)
  • 特開昭63-097919
  • 特開平4-318523
  • 液晶表示装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平3-292620   出願人:株式会社東芝
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