特許
J-GLOBAL ID：200903068818948327
半導体製造装置のクリーニング方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志波 邦男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-367043
公開番号（公開出願番号）：特開平11-191537
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体製造装置の反応容器内に堆積したホウ素等の堆積物を比較的低温で確実に除去する半導体製造装置のクリーニング方法を提供する。【解決手段】 反応容器3内で半導体基板1上に薄膜を形成する半導体製造装置2のクリーニング方法において、反応容器3内に堆積したホウ素等の堆積物を三弗化塩素(ClF3)ガスを含有するガスを用いて除去する。
請求項（抜粋）：
反応容器内で半導体基板上に薄膜を形成する半導体製造装置のクリーニング方法において、反応容器内に堆積したホウ素、燐及びヒ素のいずれかからなる堆積物を、三弗化塩素(ClF3)ガスを含有するガスを用いて除去することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/3065
, H01L 21/203
H01L 21/205
, H01L 21/203 Z
, H01L 21/302 N
