特許
J-GLOBAL ID：200903071741769506

半導体処理装置のガス供給制御方法及び半導体素子

発明者：
星野 正和

星野 正和 について

, 
渡辺 智司

渡辺 智司 について

, 
内野 敏幸

内野 敏幸 について

, 
藤沢 厚

藤沢 厚 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 春日 讓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-184061
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036047
出願日： 1995年07月20日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：
【要約】【目的】反応容器内におけるガス速度分布を制御することにより、ウエハに均一に成膜し、また付着した堆積膜をオーバーエッチングすることなく全面クリーニングできる半導体処理装置のガス供給制御方法を提供する。【構成】反応管2に流す成膜ガス流量を固定し、成膜時間の経過と共に、反応管2内の圧力を減少させながら成膜ガス分圧を増加させる。これにより、最大成膜速度を低下させることなく、その成膜速度が最大となる位置だけを上流側から下流側に向かって移動させることができ成膜量を均一にすることができる。反応管2に流すクリーニングガス流量を固定し、クリーニング時間の経過と共に、反応管2内の圧力を減少させながらクリーニングガス分圧を増加させる。これにより、最大クリーニング速度を低下させることなく、そのクリーニング速度が最大となる位置だけを上流側から下流側に向かって移動させることができ、オーバーエッチングで反応管2にダメージを与えず全面クリーニングできる。
請求項（抜粋）：
反応容器の内部に収納した半導体ウエハを加熱し、前記反応容器内にガスを供給しながら排気することにより、前記半導体ウエハ表面への成膜処理、及び前記反応容器内壁に付着堆積した反応生成物のクリーニング処理のうちいずれか一方の処理を行う半導体処理装置のガス供給制御方法において、処理時間の経過に従って前記反応容器内ガス流れ方向における反応速度の分布が変化するように、前記ガスを前記反応容器内に供給することを特徴とする半導体処理装置のガス供給制御方法。
IPC (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/31
FI (4件)：
H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/31 B
引用特許：
出願人引用 (7件)
全件表示
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM