特許
J-GLOBAL ID：200903068824133238

配線基板の製造方法およびそれを使用した半導体装置

発明者：
島田 修

島田 修 について

, 
福岡 義孝

福岡 義孝 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357534
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186452
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 高密度実装が可能で、かつ接続などの信頼性も高い配線基板の製造方法、および配線基板を使用した半導体装置の提供。【解決手段】 少なくとも表面側の配線層間接続部が層間絶縁体層2を加圧によって貫挿した層間接続導体4で構成され、かつ接続端子が少なくとも一主面に露出しているベース配線基材1の少なくとも一主面に絶縁樹脂層5を設ける工程と、前記ベース配線基材1の接続端子に対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して開口5aさせる工程と、前記開口5aさせた領域を含む絶縁体層5面に無電解メッキ処理を施し、開口5a内壁面にベース配線基材1の接続端子と電気的に接続する導電性メッキ層6′を形成する工程と、前記導電性メッキ層6′を配線パターニングする工程とを有することを特徴とする配線基板10の製造方法である。
請求項（抜粋）：
少なくとも表面側の配線層間接続部が層間絶縁体層を加圧によって貫挿した層間接続導体で構成され、かつ接続端子が少なくとも一主面に露出しているベース配線基材の少なくとも一主面に絶縁樹脂層を設ける工程と、前記ベース配線基材の接続端子に対応する領域を選択的なレーザ光照射により焼却除去して開口させる工程と、前記開口させた領域を含む絶縁樹脂層面に無電解メッキ処理を施し、開口内壁面にベース配線基材の接続端子と電気的に接続する導電性メッキ層を形成する工程と、前記導電性メッキ層を配線パターニングする工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 23/12 ,  H05K 3/00 ,  H05K 3/46
FI (4件)：
H01L 23/12 N ,  H05K 3/00 N ,  H05K 3/46 Q ,  H05K 3/46 N
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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