特許
J-GLOBAL ID：200903068897953535

炭化ケイ素単結晶並びにその製造方法及び製造装置

発明者：
丸山 隆之

丸山 隆之 について

, 
遠藤 茂樹

遠藤 茂樹 について


出願人/特許権者：
株式会社ブリヂストン

株式会社ブリヂストン について


代理人 (1件)： 廣田 浩一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-111374
公開番号（公開出願番号）：特開2002-255693
出願日： 2001年04月10日
公開日（公表日）： 2002年09月11日
要約：
【要約】【課題】 絶縁破壊特性、耐熱性、耐放射線性等に優れ、電子・光学デバイス等に好適で、多結晶や多型の混入やマイクロパイプ等の欠陥のない高品質な炭化ケイ素単結晶を割れ等がない状態で大口径に効率よく製造し得る方法の提供。【解決手段】 黒鉛製坩堝10内の容器本体12側に昇華用原料40を収容し、黒鉛製坩堝10の蓋体11側に炭化ケイ素単結晶の種結晶を配置し、昇華用原料40側に配置した第一誘導加熱コイル21により、昇華用原料40を昇華させ、蓋体11側に配置した第二誘導加熱コイル20により、第一誘導加熱コイル21により昇華された昇華用原料40が炭化ケイ素単結晶の種結晶近傍でのみ再結晶可能となるように再結晶雰囲気を形成し、昇華用原料40を炭化ケイ素単結晶の種結晶上に再結晶させ、炭化ケイ素単結晶60を、その全成長過程を通してその成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法である。
請求項（抜粋）：
昇華させた昇華用原料を再結晶させて炭化ケイ素単結晶を成長させる炭化ケイ素単結晶の製造方法であって、前記炭化ケイ素単結晶を、その全成長過程を通して、その成長面の全面を凸形状に保持したまま成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (2件)：
C30B 29/36 ,  H01L 21/20
FI (2件)：
C30B 29/36 A ,  H01L 21/20
Fターム (13件)：
4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA18 ,  4G077EA02 ,  4G077EG16 ,  4G077EG18 ,  4G077SA01 ,  4G077SA08 ,  5F052AA11 ,  5F052AA17 ,  5F052CA04 ,  5F052JA07 ,  5F052KA05
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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